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程控单结晶体管的原理及特性

发布日期:2017-12-20 08:44:58 【关闭】
摘要:程控单结晶体管,简称PUT,是PNPN四层三端器件。其结构、电路符号、等效电路和基本电路如下图所示。 PUT的门极G(控制栅极)引自靠近阳极的N区,结构上像一种N栅可控硅。

      程控单结晶体管,简称PUT,是PNPN四层三端器件。其结构、电路符号、等效电路和基本电路如下图所示。 PUT的门极G(控制栅极)引自靠近阳极的N区,结构上像一种N栅可控硅。

gooxiancom-程控单结晶体管

(a)PUT的结构;(b)符号;(c)等效电路;(d)基本电路

      若在阳极A和阴极K间加正向偏压(A正、K负),并在G和K间加正向偏压(G正、K负),则在阳极电位UA低于门极电位UG时,A-G间的PN结反偏,没有空穴注入,A-K间不导通。当UA>UG时,P1N1结正偏将发生空穴注入,P1N1P2N2结构开通,A-K间导通并出现负阻现象。其过程及伏安特性与单结晶体管十分相似,区别仅在于:单结晶体管的负阻特性出现在E-B1之间,而PUT的负阻特性出现在A-K之间。

      改变PUT的门极电位UG,即可调节峰点电压UP,也即可以用UG来调节一个等效的单结晶体管的η、IP和IV等参数,因此十分方便。

      在PUT的基本电路中,通过串联电阻,将R1上的分压加在G-K之间。当UAR1时,A-K间不通。当UA> UR1时,A-K间导通,负载RL上才有较大的电流。

上一篇文章:压力的测量

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