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GTR的驱动保护

发布日期:2017-12-21 11:30:10 【关闭】
摘要:1、驱动电路 最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形,可加速GTR的开通过程,缩短关断时间,减小开关损耗。

      1、驱动电路

      最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形,可加速GTR的开通过程,缩短关断时间,减小开关损耗。

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图1、反偏安全工作区

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图2、最优驱动电流波形

      图2为抗饱和电路。用它可使GTR处于准饱和状态,从而缩短存储时间,但增大导通损耗。其中VD1、VD2为抗饱和二极管,VD3为反向基流提供回路。

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图3、抗饱和电路

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图4、变压器反偏驱动电路

      为加速GTR关断,常采用截止反偏驱动电路以迅速抽出基区过剩的载流于。图3为变压器反偏驱动电路。当V导通时,W2的正向电压使GTR导通;当V截止时,W2的反向电压使GTR反偏而迅速关断。图4为互补反偏驱动电路,当输入高电平时,V1及V2导通,使GTR导通;而输入低电平,则V1和V2截止,V3导通,使GTR反偏迅速关断。另外也可采用比例驱动电路使GTR基极电流正比于集电极电流,从而使轻载时的驱动功率减小。

      2、保护电路

      保护电路包括缓冲电路和过流保护等。缓冲电路也称吸收电路,用于降低浪涌电压、dv/dt、di/dt,减少开关损耗、避免二次击穿和抑制电破干扰,以提高电路的可靠性。图5为合缓冲电路。因为电感电流不能突变.从提供开通保护,限制GTR的电流上升率及开通损耗;而电容上的电压不能突变。CS提供关断保护,限制GTR的电压上升率及关断损耗,RS提供放电回路。这种电路为耗能式缓冲电路,效率较低。图6是馈能式缓冲电路。其中电容CO和电感LS可将储存的能量馈送给负载RL,因此效率较高。VD0为RL的续流二极管。

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图5、反偏互补驱动电路

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图6、复合缓冲电路

      GTK出现过电流时,其基极电压VBE和集电极电压VCE均会随之变化。因此可用来进行过流保护。图7是监测VBE的保护电路,图8为监测VCE的保护电路。一旦VBE或VCE高于VR,则驱动管V截止关断GTR。监测VBE适于短路保护,监测VCE适于过载保护。电容C用于提供开通起动电流,该电路在开通过程中无法保护。

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图7、检测VBE的保护电路

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图8、检测VCE的保护电路

上一篇文章:GTR的应用

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